全部课程
公开课
就业班课程
企业培训课程
高校共建课程
芯片设计
芯片制造
芯片封装
微纳加工
人工智能
科技前沿
材料与器件表征
首页
教师风采
特级大师
新闻资讯
行业资讯
热点芯闻
课堂芯闻
芯片科普
芯课堂介绍
芯课堂简介
院校合作
企业服务
VIP定制班
企业VIP会员
仿真实训
VR实训
仿真实训
实训室建设
IC创新中心产教融合方案
题库
模拟试卷
会员专区
下载APP
全部课程
公开课
就业班课程
企业培训课程
高校共建课程
芯片设计
芯片制造
芯片封装
微纳加工
人工智能
科技前沿
材料与器件表征
首页
教师风采
特级大师
新闻资讯
行业资讯
热点芯闻
课堂芯闻
芯片科普
芯课堂介绍
芯课堂简介
院校合作
企业服务
VIP定制班
企业VIP会员
仿真实训
VR实训
仿真实训
实训室建设
IC创新中心产教融合方案
题库
模拟试卷
会员专区
下载APP
登录
注册
登录
注册
半导体器件原理
第159任务: 159-[12.15.1]--12.3.4互补MOS倒相器(CMOS)-480P 清晰-AVC
查看课程
任务列表
第1任务: 1-[1.2.1]--1.1.1晶体的基本特点-480P 清晰-AVC
第2任务: 2-[1.3.1]--1.1.2原子的周期性阵列-480P 清晰-AVC
第3任务: 3-[1.4.1]--1.1.3点阵的基本类型-480P 清晰-AVC
第4任务: 4-[1.5.1]--1.1.4晶面指数系统-480P 清晰-AVC
第5任务: 5-[1.6.1]--1.1.5常见晶体结构范例-480P 清晰-AVC
第6任务: 6-[1.8.1]--1.2.1倒易点阵-480P 清晰-AVC
第7任务: 7-[1.9.1]--1.2.2布里渊区-480P 清晰-AVC
第8任务: 8-[1.10.1]--1.2.3倒易点阵的范例-480P 清晰-AVC
第9任务: 9-[1.12.1]--1.3.1一维情况下的能级和轨道密度-480P 清晰-AVC
第10任务: 10-[1.13.1]--1.3.2温度对费米-狄喇克分布的影响-480P 清晰-AVC
第11任务: 11-[1.14.1]--1.3.3三维情况下的自由电子气-480P 清晰-AVC
第12任务: 12-[1.16.1]--1.4.1布喇格定律-480P 清晰-AVC
第13任务: 13-[1.17.1]--1.4.2近自由电子模型-480P 清晰-AVC
第14任务: 14-[1.18.1]--1.4.3能隙的起因-480P 清晰-AVC
第15任务: 15-[1.19.1]--1.4.4布洛赫函数-480P 清晰-AVC
第16任务: 16-[1.20.1]--1.4.5克朗尼格-朋奈模型-480P 清晰-AVC
第17任务: 17-[1.21.1]--1.4.6能带中轨道的数目-480P 清晰-AVC
第18任务: 18-[1.23.1]--1.5.1能带隙-480P 清晰-AVC
第19任务: 19-[1.24.1]--1.5.2重要半导体材料Si单晶的介绍-480P 清晰-AVC
第20任务: 20-[2.2.1]--2.1.1半导体中E-k的关系-480P 清晰-AVC
第21任务: 21-[2.3.1]--2.1.2半导体中电子的平均速度-480P 清晰-AVC
第22任务: 22-[2.4.1]--2.1.3半导体中电子的加速度-480P 清晰-AVC
第23任务: 23-[2.5.1]--2.1.4有效质量的意义-480P 清晰-AVC
第24任务: 24-[2.7.1]--2.2.1空穴-480P 清晰-AVC
第25任务: 25-[2.8.1]--2.2.2本征半导体的导电机构-480P 清晰-AVC
第26任务: 26-[2.10.1]--2.3.1一般情况下的等能面方程-480P 清晰-AVC
第27任务: 27-[2.12.1]--2.4.1硅的能带结构-480P 清晰-AVC
第28任务: 28-[2.13.1]--2.4.2锗的能带结构-480P 清晰-AVC
第29任务: 29-[2.14.1]--2.4.3能带结构与温度的关系-480P 清晰-AVC
第30任务: 30-[3.2.1]--3.1.1替位式杂质和间隙式杂质-480P 清晰-AVC
第31任务: 31-[3.3.1]--3.1.2施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级-480P 清晰-AVC
第32任务: 32-[3.4.1]--3.1.3杂质浅能级电离能的简单计算-480P 清晰-AVC
第33任务: 33-[3.5.1]--3.1.4杂质的补偿作用-480P 清晰-AVC
第34任务: 34-[3.6.1]--3.1.5深能级杂质-480P 清晰-AVC
第35任务: 35-[3.8.1]--3.2.1GaAs中的杂质-480P 清晰-AVC
第36任务: 36-[3.10.1]--3.3.1点缺陷-480P 清晰-AVC
第37任务: 37-[3.11.1]--3.3.2线缺陷-位错-480P 清晰-AVC
第38任务: 38-[4.2.1]--4.1.1复习三维情况下的自由电子气-480P 清晰-AVC
第39任务: 39-[4.3.1]--4.1.2状(能)态密度的定义-480P 清晰-AVC
第40任务: 40-[4.4.1]--4.1.3状(能)态密度的汇总-480P 清晰-AVC
第41任务: 41-[4.6.1]--4.2.1费米分布函数f(E)-480P 清晰-AVC
第42任务: 42-[4.7.1]--4.2.2导带电子和价带空穴浓度-480P 清晰-AVC
第43任务: 43-[4.9.1]--4.3.1本征载流子浓度ni-480P 清晰-AVC
第44任务: 44-[4.10.1]--4.3.2本征半导体的费米能级位置-480P 清晰-AVC
第45任务: 45-[4.12.1]--4.4.1非补偿情形(单一杂质)1-480P 清晰-AVC
第46任务: 46-[4.12.2]--4.4.1非补偿情形(单一杂质)2-480P 清晰-AVC
第47任务: 47-[4.14.1]--4.5.1简并的出现-480P 清晰-AVC
第48任务: 48-[4.15.1]--4.5.2简并半导体的载流子浓度-480P 清晰-AVC
第49任务: 49-[4.16.1]--4.5.3简并化条件-480P 清晰-AVC
第50任务: 50-[4.17.1]--4.5.4简并时杂质的电离-480P 清晰-AVC
第51任务: 51-[5.2.1]--5.1.1电导的微观理论-480P 清晰-AVC
第52任务: 52-[5.3.1]--5.1.2半导体的电导率和迁移率-480P 清晰-AVC
第53任务: 53-[5.5.1]--5.2.1散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系-480P 清晰-AVC
第54任务: 54-[5.6.1]--5.2.2载流子的主要散射机制-480P 清晰-AVC
第55任务: 55-[5.8.1]--5.3.1迁移率与杂质浓度和温度的关系-480P 清晰-AVC
第56任务: 56-[5.9.1]--5.3.2电阻率与杂质浓度的关系-480P 清晰-AVC
第57任务: 57-[5.11.1]--5.4.1欧姆定律的偏离和热载流子-480P 清晰-AVC
第58任务: 58-[6.2.1]--6.1.1非平衡载流子的产生-480P 清晰-AVC
第59任务: 59-[6.3.1]--6.1.2附加光电导现象-480P 清晰-AVC
第60任务: 60-[6.4.1]--6.1.3非平衡载流子的复合-480P 清晰-AVC
第61任务: 61-[6.5.1]--6.1.4非平衡载流子的产生-480P 清晰-AVC
第62任务: 62-[6.7.1]--6.2.1准平衡-480P 清晰-AVC
第63任务: 63-[6.8.1]--6.2.2准费米能级-480P 清晰-AVC
第64任务: 64-[6.10.1]--6.3.1复合的分类-480P 清晰-AVC
第65任务: 65-[6.11.1]--6.3.2直接复合-480P 清晰-AVC
第66任务: 66-[6.12.1]--6.3.3间接复合-480P 清晰-AVC
第67任务: 67-[6.13.1]--6.3.4表面复合-480P 清晰-AVC
第68任务: 68-[6.15.1]--6.4.1陷阱现象-480P 清晰-AVC
第69任务: 69-[6.16.1]--6.4.2成为陷阱的条件-480P 清晰-AVC
第70任务: 70-[6.18.1]--6.5.1一维扩散方程-480P 清晰-AVC
第71任务: 71-[6.19.1]--6.5.2一维扩散方程的稳态解-480P 清晰-AVC
第72任务: 72-[6.20.1]--6.5.3扩散电流-480P 清晰-AVC
第73任务: 73-[6.22.1]--6.6.1浓度梯度引起的自建电场-480P 清晰-AVC
第74任务: 74-[6.23.1]--6.6.2爱因斯坦关系-480P 清晰-AVC
第75任务: 75-[6.25.1]--6.7.1连续性方程-480P 清晰-AVC
第76任务: 76-[6.26.1]--6.7.2连续性方程的特例情况-480P 清晰-AVC
第77任务: 77-[7.2.1]--7.1.1p-n结的形成及杂质分布-480P 清晰-AVC
第78任务: 78-[7.3.1]--7.1.2空间电荷区-480P 清晰-AVC
第79任务: 79-[7.4.1]--7.1.3平衡p-n结能带图-480P 清晰-AVC
第80任务: 80-[7.5.1]--7.1.4p-n结接触电势差-480P 清晰-AVC
第81任务: 81-[7.6.1]--7.1.5p-n结的载流子分布-480P 清晰-AVC
第82任务: 82-[7.8.1]--7.2.1p-n结中的电场和电势分布-480P 清晰-AVC
第83任务: 83-[7.9.1]--7.2.2非平衡p-n结的能带图-480P 清晰-AVC
第84任务: 84-[7.10.1]--7.2.3理想p-n结的J-V关系-480P 清晰-AVC
第85任务: 85-[7.11.1]--7.2.4理想p-n结J-V关系的特性-480P 清晰-AVC
第86任务: 86-[7.12.1]--7.2.5理想p-n结J-V关系的修正-480P 清晰-AVC
第87任务: 87-[7.14.1]--7.3.1势垒电容-480P 清晰-AVC
第88任务: 88-[7.15.1]--7.3.2扩散电容_(正向偏压)-480P 清晰-AVC
第89任务: 89-[7.17.1]--7.4.1雪崩击穿-480P 清晰-AVC
第90任务: 90-[7.18.1]--7.4.2齐纳击穿(隧道击穿)-480P 清晰-AVC
第91任务: 91-[7.20.1]--7.5.1Esaki_二极管-480P 清晰-AVC
第92任务: 92-[8.2.1]--8.1.1功函数和电子亲合能-480P 清晰-AVC
第93任务: 93-[8.3.1]--8.1.2接触电势差-480P 清晰-AVC
第94任务: 94-[8.4.1]--8.1.3表面态对接触势垒的影响-480P 清晰-AVC
第95任务: 95-[8.5.1]--8.1.4势垒区的电势分布-480P 清晰-AVC
第96任务: 96-[8.6.1]--8.1.5肖特基接触的势垒电容-480P 清晰-AVC
第97任务: 97-[8.8.1]--8.2.1热电子发射理论-480P 清晰-AVC
第98任务: 98-[8.9.1]--8.2.2镜像力影响-480P 清晰-AVC
第99任务: 99-[8.10.1]--8.2.3隧道效应影响-480P 清晰-AVC
第100任务: 100-[8.11.1]--8.2.4pn结和肖特基势垒二极管-480P 清晰-AVC
第101任务: 101-[8.13.1]--8.3.1少子注入-480P 清晰-AVC
第102任务: 102-[8.14.1]--8.3.2欧姆接触-480P 清晰-AVC
第103任务: 103-[9.1.1]--9.1晶体管的发明-480P 清晰-AVC
第104任务: 104-[9.2.1]--9.1.1晶体管的基本结构-480P 清晰-AVC
第105任务: 105-[9.3.1]--9.1.2制造工艺-480P 清晰-AVC
第106任务: 106-[9.4.1]--9.1.3杂质分布-480P 清晰-AVC
第107任务: 107-[9.6.1]--9.2.1放大条件-480P 清晰-AVC
第108任务: 108-[9.7.1]--9.2.2电流传输-480P 清晰-AVC
第109任务: 109-[9.8.1]--9.2.3共基极电流放大系数-480P 清晰-AVC
第110任务: 110-[9.9.1]--9.2.4共射极电流放大系数-480P 清晰-AVC
第111任务: 111-[9.11.1]--9.3.1晶体管中的少子分布-480P 清晰-AVC
第112任务: 112-[9.12.1]--9.3.2理想晶体管的电流-电压方程-480P 清晰-AVC
第113任务: 113-[9.13.1]--9.3.3放大系数表达式-480P 清晰-AVC
第114任务: 114-[9.14.1]--9.3.4理想晶体管的输入、输出特性-480P 清晰-AVC
第115任务: 115-[9.15.1]--9.3.5晶体管的非理想现象-480P 清晰-AVC
第116任务: 116-[9.16.1]--9.3.6实际晶体管的输入、输出特性-480P 清晰-AVC
第117任务: 117-[9.18.1]--9.4.1晶体管的反向电流-480P 清晰-AVC
第118任务: 118-[9.19.1]--9.4.2晶体管的反向击穿电压-480P 清晰-AVC
第119任务: 119-[9.20.1]--9.4.3晶体管穿通电压-480P 清晰-AVC
第120任务: 120-[9.22.1]--9.5.1Ebers-Moll方程-480P 清晰-AVC
第121任务: 121-[9.23.1]--9.5.2实际晶体管模型-480P 清晰-AVC
第122任务: 122-[9.25.1]--9.6.1晶体管的放大作用-480P 清晰-AVC
第123任务: 123-[9.26.1]--9.6.2低频交流小信号等效电路-480P 清晰-AVC
第124任务: 124-[9.27.1]--9.6.3放大系数的频率特性-480P 清晰-AVC
第125任务: 125-[9.29.1]--9.7.1晶体管的开关作用-480P 清晰-AVC
第126任务: 126-[9.30.1]--9.7.2晶体管开关时间-480P 清晰-AVC
第127任务: 127-[10.2.1]--10.1.1表面的特殊性-480P 清晰-AVC
第128任务: 128-[10.3.1]--10.1.2理想表面-480P 清晰-AVC
第129任务: 129-[10.4.1]--10.1.3真实表面-480P 清晰-AVC
第130任务: 130-[10.6.1]--10.2.1空间电荷层-480P 清晰-AVC
第131任务: 131-[10.7.1]--10.2.2空间电荷层中的泊松方程-480P 清晰-AVC
第132任务: 132-[10.8.1]--10.2.3半导体表面电场_电势和电容-480P 清晰-AVC
第133任务: 133-[10.9.1]--10.2.4半导体表面层的五种基本状态-480P 清晰-AVC
第134任务: 134-[10.11.1]--10.3.1Si-SiO2系统中的电荷状态-480P 清晰-AVC
第135任务: 135-[10.13.1]--10.4.1MIS电容结构的能带图-480P 清晰-AVC
第136任务: 136-[10.14.1]--10.4.2理想MIS电容的C-V特性1-480P 清晰-AVC
第137任务: 137-[10.14.2]--10.4.2理想MIS电容的C-V特性2-480P 清晰-AVC
第138任务: 138-[10.15.1]--10.4.3实际MIS电容的C-V特性-480P 清晰-AVC
第139任务: 139-[10.17.1]--10.5.1表面电导-480P 清晰-AVC
第140任务: 140-[11.2.1]--11.1.1MOSFET的结构-480P 清晰-AVC
第141任务: 141-[11.3.1]--11.1.2MOSFET简介-480P 清晰-AVC
第142任务: 142-[11.4.1]--11.1.3MOSFET的基本工作原理-480P 清晰-AVC
第143任务: 143-[11.5.1]--11.1.4MOSFET的分类和符号-480P 清晰-AVC
第144任务: 144-[11.6.1]--11.1.5MOSFET的输出特性和转移特性-480P 清晰-AVC
第145任务: 145-[11.8.1]--11.2.1半导体的表面状态-480P 清晰-AVC
第146任务: 146-[11.9.1]--11.2.2阈值电压的表达式-480P 清晰-AVC
第147任务: 147-[11.10.1]--11.2.3影响VT的因素-480P 清晰-AVC
第148任务: 148-[12.2.1]--12.1.1MOSFET非平衡时的能带图-480P 清晰-AVC
第149任务: 149-[12.3.1]--12.1.2IDS~VDS的关系-480P 清晰-AVC
第150任务: 150-[12.4.1]--12.1.3MOSFET的亚阈值特性-480P 清晰-AVC
第151任务: 151-[12.5.1]--12.1.4MOSFET直流参数-480P 清晰-AVC
第152任务: 152-[12.6.1]--12.1.5MOSFET的二级效应-480P 清晰-AVC
第153任务: 153-[12.7.1]--12.1.6击穿特性-480P 清晰-AVC
第154任务: 154-[12.9.1]--12.2.1交流小信号等效电路-480P 清晰-AVC
第155任务: 155-[12.10.1]--12.2.2高频特性-480P 清晰-AVC
第156任务: 156-[12.12.1]--12.3.1电阻型负载MOS倒相器-480P 清晰-AVC
第157任务: 157-[12.13.1]--12.3.2增强型-增强型MOS倒相器(E-EMOS)-480P 清晰-AVC
第158任务: 158-[12.14.1]--12.3.3增强型-耗尽型MOS倒相器(E-DMOS)-480P 清晰-AVC
第159任务: 159-[12.15.1]--12.3.4互补MOS倒相器(CMOS)-480P 清晰-AVC
第160任务: 160-[12.17.1]--12.4.1按比例缩小规律概述-480P 清晰-AVC
第161任务: 161-[12.18.1]--12.4.2MOSFET的scaling规则-480P 清晰-AVC