博士，华东师范大学教授、博士生导师。

1986-1993年，于华东师范大学攻读微电子学学士、硕士学位；

1993年至今，留校从事教学科研工作；

2001年，于华东师范大学取得博士学位；

2004.3月—8月，前往比利时IMEC参加130/90nm工艺技术研发。

现任上海市科协集成电路专业委员会委员，华东师范大学微电子专业责任教授，获得高等教育上海市教学成果一、二等奖各1项，获评上海市科委科技启明星、上海市教委优秀青年教师等称号。

与ICRD、华力微电子、华为海思等半导体企业长期合作，系统开展130/90/40/22nm/7nm及以下工艺代器件、后摩尔时代新型器件研究，以产业标准开展器件模型研发及精准参数提取。

承担国家“核高基”重大科技专项子课题、国家自然科学基金等项目20余项，在IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Transactions On Device And Materials Reliability等微电子器件顶级期刊、国际会议及国内核心期刊发表学术论文80余篇，申请发明专利近30项。

专注研究领域及成果包括：（1）VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等；（2）VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模；（3）MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析；（4）各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计；（5）后摩尔时代新型器件及单元电路设计。